报告题目：二维半导体自旋电子器件研究
报告人：王开友 中国科学院半导体研究所
报告时间：2023年10月25日上午10：00
报告地点：教2-327
主办单位：威尼斯wns8885566
邀请人：钮伟
报告内容：在过去的几十年里，半导体自旋电子器件由于其非易失性和与现有半导体技术兼容的优点，而引起了人们的极大兴趣。然而，由于铁磁金属与半导体的电导不匹配，半导体中的自旋注入一直是一个巨大的挑战。二维范德华材料使我们能够制备原子级界面异质结，而不需要考虑晶格失配。我们发现磁阻的大小对异质结的载流子传输机制非常敏感[1，2]，发现磁电阻效应与中间层厚度及电压的依赖关系[3]。利用室温铁磁Fe3GaTe2，我们首次实现了85%的大室温磁阻全二维磁性隧穿结[4]。另外，我们实现了对铁磁Fe3GeTe2和Fe3GaT2的电学调控 [5,6]。
[1] Hailong Lin et al., ACS Applied Materials & Interfaces, 12 (2020) 43921.
[2] Wenkai Zhu et al., Advanced Materials, 33 (2021)2104658.
[3]Wenkai Zhu et al., Nature Communications, 14 (2023)5371.
[4] Wenkai Zhu et al., Chinese Physics Letters, 39(2022)128501.
[5] Ziao Wang et al., Nano Letters, 23(2023)710.
[6]Weihao Li et al., Advanced Materials,(in press), arXiv.2304.10718.
报告人简介：
王开友，研究员,博士生导师，国家杰出青年基金获得者，现任中国科学院半导体研究所学术委员会主任、半导体超晶格国家重点实验室主任，中国物理学会理事，半导体物理专业委员会主任和多个专业委员会委员，是国内外多个杂志编委，国际先进材料学会会士，2012年获得“国家杰出青年基金”资助。2005年于英国诺丁汉大学天文物威尼斯wns8885566获得哲学博士学位，曾在波兰科学院物理所、英国剑桥大学、丹麦玻尔研究所访问或工作，2009年通过中国科学院“百人计划”加入中国科学院半导体研究所，长期从事自旋电子学及半导体微纳器件方面的研究，取得了一系列有一定影响力的研究成果，迄今发表了包括Nature Materials, Nature Physics, Nature Electronics, Physical Review Letters 等在内的科技论文130多篇，引用7000多次，授权了16个国内外发明专利（含5个美国专利），并获得多个国内外奖励。